在生成式AI硬件領(lǐng)域，AI芯片供應(yīng)商英偉達儼然成為了主要贏家，而除英偉達之外，還存在一位低調(diào)的大贏家，它就是給英偉達供應(yīng)高帶寬存儲芯片(HBM)的SK海力士。

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SK海力士是英偉達高性能芯片H100所用HBM的主要供應(yīng)商，其股價今年來已漲超50%。今年以來，H100一直供不應(yīng)求，而這款GPU配備了更快的HBM3技術(shù)。與之前的HBM2e標(biāo)準(zhǔn)相比，這種改進放大了AI服務(wù)器系統(tǒng)的計算性能。

作為全球最大存儲芯片制造商之一，SK海力士很早就押注于開發(fā)強大的內(nèi)存芯片。2013年，SK海力士與AMD一起率先向市場推出了HBM第一代產(chǎn)品。HBM1帶寬高于DDR4和GDDR5產(chǎn)品，同時外形尺寸較小，功率消耗較低，更能滿足GPU等帶寬需求較高的處理器。

HBM垂直堆疊多個DRAM，可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度。SK海力士先進制程存儲芯片產(chǎn)品設(shè)計負責(zé)人樸明宰（Park Myeong-jae）表示，這一領(lǐng)域在當(dāng)時被認為是“未知領(lǐng)域”。

隨著業(yè)界對尖端GPU的需求不斷升級，對高性能的HBM芯片需求也水漲船高。市場研究公司TrendForce此前預(yù)測，2023年HBM需求將同比增長58%，預(yù)計2024年將進一步增長30%。

長期以來，SK海力士是興衰起伏的內(nèi)存芯片行業(yè)的主要參與者，但從歷史上看，它并不被視為行業(yè)先驅(qū)。如今，隨著依賴HBM的AI應(yīng)用的興起，SK海力士已經(jīng)成為硬件領(lǐng)域的早期贏家之一，盡管競爭正在加劇，競爭對手三星電子正試圖迎頭趕上。

押對HBM，SK海力士股價今年來漲超50%

近幾年，SK海力士陸續(xù)發(fā)布HBM2（2018年）、HBM2E（2020年）、HBM3（2021年10月），并于今年8月宣布成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品——第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E，并開始向客戶提供樣品進行性能驗證。

此前消息稱，包括英偉達、AMD、微軟、亞馬遜在內(nèi)的全球科技巨擘，已依序向SK海力士要求HBM3E樣品。申請樣本是下單前的必要程序，目的是厘清存儲器與客戶的GPU、IC或云端系統(tǒng)是否兼容。

SK海力士表示，新品最高每秒可以處理1.15TB（太字節(jié)）的數(shù)據(jù)，相當(dāng)于在1秒內(nèi)可處理230部全高清電影數(shù)據(jù)。將從2024年上半年開始投入HBM3E量產(chǎn)。

HBM采用摩天大樓式構(gòu)造的立體堆疊，將存儲芯片DRAM一個接一個地堆疊在一起，其第四代產(chǎn)品實現(xiàn)了垂直堆疊12個傳統(tǒng)單品DRAM芯片，上一代產(chǎn)品為垂直堆疊8個單品DRAM芯片。

實現(xiàn)這一壯舉需要發(fā)明新的堆疊和融合芯片的方法。在12層堆疊的產(chǎn)品中，SK海力士用液體材料填充層與層之間的空隙，取代了在每層之間涂上薄膜的傳統(tǒng)方法。在最新的堆疊過程中，該公司使用高溫確保芯片層均勻地貼合在一起，并以70噸的壓力壓縮它們以填補空隙。

樸明宰表示，存儲芯片不再只是計算領(lǐng)域的配角。他在一次書面采訪中說：

“從本質(zhì)上講，包括HBM在內(nèi)的存儲技術(shù)的發(fā)展，正在為AI系統(tǒng)的未來發(fā)展奠定基礎(chǔ)?！?/p>

今年以來，部分受智能手機和電腦銷量下降影響，整個存儲芯片行業(yè)嚴重低迷。由于收入仍主要依賴傳統(tǒng)的內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)，SK海力士經(jīng)歷了艱難的一年，公司報告第二季度凈虧損約為22億美元，表明其財務(wù)狀況尚未從其在高帶寬內(nèi)存方面的進步中獲得多少好處。相比之下，英偉達在5月至7月的季度利潤超過60億美元。

但其股價依舊上漲。自今年年初以來，SK海力士股價已累計上漲53%，幾乎是三星電子同期漲幅的三倍，也高于美光科技和英特爾同期約30%的漲幅。英偉達股價今年以來已上漲兩倍多。